Память
Энергозависимая: SRAM (кэш), DRAM (ОЗУ). Энергонезависимая: Flash (SSD, USB), EEPROM, ROM. 3D NAND до 232 слоёв. HBM для GPU.
Оперативная память
DRAM: DDR4, DDR5, LPDDR. Тайминги (CL), частота, двухканальность. Энергозависимая, быстрый произвольный доступ.
Кэш-память
SRAM: L1 (самый быстрый, ~32KB), L2 (~256KB), L3 (общий, ~8-64MB). Cache hit/miss, ассоциативность, write-back/through.
Виртуальная память
Абстракция адресного пространства: страницы, page table, TLB. Swap на диск, защита процессов, demand paging.
Новые типы памяти
Intel Optane (3D XPoint), HBM (High Bandwidth Memory для GPU), MRAM, ReRAM. Persistent memory, storage-class memory.
DRAM
Конденсатор + транзистор на бит. DDR4 (3200 MT/s), DDR5 (6400+ MT/s). Регенерация каждые 64 мс. Samsung, SK Hynix, Micron — 95% рынка.
Flash-память
NOR (код, XIP), NAND (данные, SSD). SLC/MLC/TLC/QLC. 3D NAND: 176-232 слоя. TRIM, wear leveling. Samsung 990 Pro до 7450 МБ/с.
SRAM
6 транзисторов на бит. Быстрая (0.2-1 нс), дорогая. Кэш L1/L2/L3 процессоров. Не требует регенерации. Статическое потребление.